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900V N-Ch
苏州东微半导体
东微半导体成立于2008年,注册资本5053.2275万元,是一家技术驱动型的半导体技术公司,在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累,专注半导体器件技术创新,拥有多项半导体器件核心专利。 2013年下半年,东微半导体原创的半浮栅器件的技术论文在美国《科学》期刊上发表,标志着国内科学家在半导体核心技术方向获得重大突破。新闻联播、人民日报等媒体均进行了头条重点报道,引起了国内外业界的高度关注。2016年东微半导体自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产,打破国外厂商垄断。目前,东微半导体已成为国内高性能功率半导体领域的佼佼者,在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步,产品进入多个国际一线客户,并受到了客户的一致好评。
Class Product Name Configuration Package MOQ BVds[V] Id [A] 25℃ Vgs(th) [Typ V] Rds(on) /ohm Vgs=10V Qg [nC] at 10V Features
Typ. Max.
900V N-Ch OSG90R7K2DF Single_N TO-252 2500 900           high speed switching, close to C7
OSG90R1K2DF Single_N TO-252 2500 900 5 3 1 1.2 12.5 high speed switching, close to C7
OSG90R1K2AF Single_N TO-251 4950 900 5 3 1 1.2 12.5 high speed switching, close to C7
OSG90R1K2IF Single_N TO-262 1000 900 5 3 1 1.2 12.5 high speed switching, close to C7
OSG90R1K2FF Single_N TO-220F 1000 900 5 3 1 1.2 12.5 high speed switching, close to C7
OSG90R1K2KF Single_N TO-263 800 900 5 3 1 1.2 12.5 high speed switching, close to C7